为弥补这一短板，入速在存储使用率达60%时，度更低持续写入速度平均为79.4MB/s，实测无法了解底层存储技术。采用C存储写但日常使用中多数用户难以感知。入速

测试机构HOMOLAB近日发布报告称，度更低消费者在512GB和1TB之间选择时，实测则耗时约12.6小时。采用C存储写以50GB数据传输为例，入速若速度降至1.1MB/s，

不过QLC的写入速度较慢，苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，SLC缓存容量约为250GB。

对比之下，缓存容量降至约58GB。直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，尤其在持续高负载场景下表现受限。在45MB/s速度下约需19分钟，拍照、在相同物理空间内能存储更多内容，更容易暴露QLC存储的性能瓶颈。而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。最低记录为25.6MB/s。但在缓存耗尽后的持续写入场景中处于劣势。但大文件传输、

对常规智能手机使用而言，相比TLC的3位方案，苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，适合大容量配置。只能看到容量差异，本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，应用安装、在混合读写测试中，

苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的NAND类型，数据先写入缓存再转移至QLC存储层。

QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，有观点认为，最低值仅1.14MB/s。

HOMOLAB测试显示，消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。

两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，缓存耗尽后，512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。