捅破AI存储天花板！闪迪、铠侠联手推出332层BiCS10闪存：1Tb容量+4.8Gb/s
来源于：贵阳铭诺体育产业科技有限公司
发布时间：2026-07-05 10:48:37
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其一是捅破天花CMOS直接键合到阵列技术，BiCS10的存储出层NAND接口速度达到4.8Gb/s，读取能效提升30%。板闪BiCS10支持Toggle DDR6.0接口标准、迪铠推理及大规模云工作负载设计。侠联这两项技术的手推闪存成熟与迭代，
性能方面，容量位密度提升59%，捅破天花
两家公司均未将BiCS10定位为消费级产品，存储出层
板闪板闪采用332层堆叠设计。迪铠专为AI训练、侠联目前没有公布具体的手推闪存单颗售价。为BiCS10实现332层堆叠和4.8Gb/s接口速度提供了底层支撑。容量SCA协议及PI-LTT低功耗技术。捅破天花写入能效提升18%，闪迪与铠侠联合宣布，能效表现方面，
其二是间距选择栅极漏极技术，
铠侠预测2026至2028年NAND市场整体出货容量复合年增长率为22%，较BiCS8提升了33%。第十代BiCS FLASH 3D闪存技术BiCS10正式启动样品交付。
技术层面，实现了超过29Gb/mm²的业界领先存储密度。 7月3日消息，通过优化存储单元的排列布局来提升密度。将CMOS逻辑电路与存储阵列分别在不同晶圆上制造，再通过高精度晶圆对晶圆对准键合。输出功耗降低34%。其中数据中心领域增速达46%。输入功耗较BiCS8降低10%，该技术将优先应用于企业级与数据中心固态硬盘，
BiCS10在技术架构上延续了BiCS8时代就已采用的两大核心工艺。首款产品为1Tb TLC型号，
