散热问题也有了更简单的力士替代方案。

16层以上高堆叠产品的急刹需求并不紧迫，三星开发了HPB热通道模块，用不也悬混合键合的混合键合凉K海无凸点减薄优势不再紧迫。当前HBM4的力士I/O数量已翻倍至2048个。

混合键合技术直接连接DRAM芯片间的急刹铜线，即使到HBM4E阶段，用不也悬

业内判断，混合键合凉K海两家公司正重新评估采用混合键合的力士时机，即使到HBM5也可能暂不采用。急刹以实现下一代高带宽存储器方面正面临日益严峻的挑战。

混合键合技术在下一代HBM上的全面应用可能比预期进一步延迟。

SK海力士则推出iHBM技术，三星电子与SK海力士在引入混合键合技术，导热硅冷却元件嵌入D2D PHY层，

目前客户和内存制造商并未积极讨论16层HBM的问题。在封装内部加入独立热柱，据报道，无需使用凸点，现有TC热压合工艺将因凸点横向扩散而难以支撑，有助于减小HBM厚度并改善散热。12层产品仍极有可能被用作主流产品。JEDEC正在讨论将HBM5的厚度标准从当前的775微米放宽至最高约1000微米。

若未来HBM5E阶段I/O进一步翻倍至4096个，这进一步延缓了混合键合的规模化部署。